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SFT1431-W

SFT1431-W

참조 용

부품 번호 SFT1431-W
PNEDA 부품 번호 SFT1431-W
설명 MOSFET N-CH 35V 11A TP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,714
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 8 - 3월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SFT1431-W 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SFT1431-W
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SFT1431-W, SFT1431-W 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 356.45 KB)
PDFSFT1431-W 데이터 시트 표지
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SFT1431-W 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17.3nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds960pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Ta), 15W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지IPAK/TP
패키지 / 케이스TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Vishay Siliconix

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1525pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 4.45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

BSP296 E6433

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

364pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.79W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223-4

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

IRL6283MTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®, StrongIRFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Ta), 211A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

158nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8292pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 63W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MD

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MD

VP2110K1-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

패키지 / 케이스

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IRF7207PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

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