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SGTB11N60R2DT4G

SGTB11N60R2DT4G

참조 용

부품 번호 SGTB11N60R2DT4G
PNEDA 부품 번호 SGTB11N60R2DT4G
설명 RC2 IGBT 10A 600V DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGTB11N60R2DT4G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGTB11N60R2DT4G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • SGTB11N60R2DT4G Distributor

SGTB11N60R2DT4G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형-
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

48A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

전력-최대

140W

에너지 전환

75µJ (on), 225µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/83ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGH60T65SQD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

전력-최대

333W

에너지 전환

227µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20.8ns/102ns

테스트 조건

400V, 15A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34.6ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGR20N40LTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 150A

전력-최대

45W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

STGD7NB60KT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

전력-최대

70W

에너지 전환

95µJ (on), 140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32.7nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/50ns

테스트 조건

480V, 7A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

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Infineon Technologies

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TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

67A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 40A

전력-최대

246W

에너지 전환

1.06mJ (on), 610µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

177nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/222ns

테스트 조건

400V, 40A, 10.1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

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