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SH8M12TB1

SH8M12TB1

참조 용

부품 번호 SH8M12TB1
PNEDA 부품 번호 SH8M12TB1
설명 MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,428
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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SH8M12TB1 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SH8M12TB1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SH8M12TB1, SH8M12TB1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 565.27 KB)
PDFSH8M12TB1 데이터 시트 표지
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SH8M12TB1 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

BSO612CVGHUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

MMDF2P02HDR2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

588pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMN2300UFL4-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.11A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

195mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

128.6pF @ 25V

전력-최대

1.39W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

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Rohm Semiconductor

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Rohm Semiconductor

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.5nC @ 10V

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