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SH8M24TB1

SH8M24TB1

참조 용

부품 번호 SH8M24TB1
PNEDA 부품 번호 SH8M24TB1
설명 MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SH8M24TB1 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SH8M24TB1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SH8M24TB1 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A, 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs46mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.6nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds550pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

745pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 600µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.73nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

75pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

DMN2016UFX-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.9A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 10V

전력-최대

1.07W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

V-DFN2050-4

AOD607A

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc), 12A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

395pF @ 15V, 730pF @ 15V

전력-최대

19W (Tc), 30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

713pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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