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SI1972DH-T1-E3

SI1972DH-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI1972DH-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI1972DH-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI1972DH-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1972DH-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1972DH-T1-E3, SI1972DH-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 117.34 KB)
PDFSI1972DH-T1-GE3 데이터 시트 표지
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  • SI1972DH-T1-E3 Distributor

SI1972DH-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs225mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds75pF @ 15V
전력-최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-70-6 (SOT-363)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

372A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 186A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

560nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28900pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

EFC4622R-R-W-E-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NVMFD5875NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 25V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SSM6L16FETE85LF

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Toshiba Semiconductor and Storage

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 0.1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.3pF @ 3V

전력-최대

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