SI3134KDW-TP
참조 용
| 부품 번호 | SI3134KDW-TP |
| PNEDA 부품 번호 | SI3134KDW-TP |
| 설명 | DUAL N-CHANNEL MOSFETSOT-363 |
| 제조업체 | Micro Commercial Co |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 241,482 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SI3134KDW-TP 리소스
| 브랜드 | Micro Commercial Co |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI3134KDW-TP |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI3134KDW-TP 사양
| 제조업체 | Micro Commercial Co |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 750mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 650mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 120pF @ 16V |
| 전력-최대 | 150mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-363 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1938pF @ 15V 전력-최대 1.4W, 2W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 500pF @ 15V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 PG-TSOP-6-6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.1A, 12.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 608pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 - 장착 유형 Sub-Base Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V 전력-최대 150mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
