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SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI4200DY-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI4200DY-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
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SI4200DY-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI4200DY-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI4200DY-T1-GE3, SI4200DY-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 182.73 KB)
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SI4200DY-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds415pF @ 13V
전력-최대2.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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TT Electronics/Optek Technology

시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

90V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A, 1.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 25V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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6-SMD

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-UFBGA, DSBGA

공급자 장치 패키지

12-DSBGA

SIA911DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

94mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.8nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

355pF @ 10V

전력-최대

6.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FF45MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tj)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs (th) (최대) @ Id

5.55V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1840pF @ 800V

전력-최대

20mW (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 9V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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