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SI4830CDY-T1-E3

SI4830CDY-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI4830CDY-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI4830CDY-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 5,292
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI4830CDY-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI4830CDY-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI4830CDY-T1-E3, SI4830CDY-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 208.59 KB)
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  • SI4830CDY-T1-E3 Distributor

SI4830CDY-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈LITTLE FOOT®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds950pF @ 15V
전력-최대2.9W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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Logic Level Gate, 1.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 6V

전력-최대

550mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 15V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

TSM9926DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

562pF @ 8V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

333A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 166.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

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