SI5915DC-T1-E3
참조 용
| 부품 번호 | SI5915DC-T1-E3 |
| PNEDA 부품 번호 | SI5915DC-T1-E3 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,112 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SI5915DC-T1-E3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI5915DC-T1-E3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI5915DC-T1-E3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 8V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 1.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 64mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 280pF @ 10V 전력-최대 2.2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 625pF @ 20V 전력-최대 3.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A, 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 942pF @ 50V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual |
