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SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI5915DC-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI5915DC-T1-E3
설명 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI5915DC-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI5915DC-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI5915DC-T1-E3, SI5915DC-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 108.87 KB)
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  • SI5915DC-T1-E3 Distributor

SI5915DC-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지1206-8 ChipFET™

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MicroFET (2x2)

SH8J31GZETB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SH8K37GZETB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 30V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

HUFA76407DK8T-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

625pF @ 20V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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