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SI7224DN-T1-E3

SI7224DN-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI7224DN-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI7224DN-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
제조업체 Vishay Siliconix
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI7224DN-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7224DN-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7224DN-T1-E3, SI7224DN-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 597.91 KB)
PDFSI7224DN-T1-E3 데이터 시트 표지
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  • SI7224DN-T1-E3 Distributor

SI7224DN-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds570pF @ 15V
전력-최대17.8W, 23W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® 1212-8 Dual

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

116A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

580nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13000pF @ 100V

전력-최대

625W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

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FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

FDY4001CZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA, 150mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 10V

전력-최대

446mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563F

DMN601DWKQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

305mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.304nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

200mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

IRF7910TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1730pF @ 6V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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