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SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI9936BDY-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI9936BDY-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI9936BDY-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI9936BDY-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • SI9936BDY-T1-E3 Distributor

SI9936BDY-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.9A (Tc), 9.16A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 5V, 23nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V

전력-최대

5.2W (Tc), 3.9W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SI3588DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A, 570mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW, 83mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 30V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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시리즈

-

FET 유형

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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Alpha & Omega Semiconductor

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 30V

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