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SKB02N60ATMA1

SKB02N60ATMA1

참조 용

부품 번호 SKB02N60ATMA1
PNEDA 부품 번호 SKB02N60ATMA1
설명 IGBT 600V 6A 30W TO263-3
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 3,150
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 1 - 4월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SKB02N60ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SKB02N60ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SKB02N60ATMA1, SKB02N60ATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 598.85 KB)
PDFSKB02N60E3266ATMA1 데이터 시트 표지
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  • SKB02N60ATMA1 Distributor

SKB02N60ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 2A
전력-최대30W
에너지 전환64µJ
입력 유형Standard
게이트 차지14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/259ns
테스트 조건400V, 2A, 118Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)130ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지PG-TO263-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

전력-최대

77W

에너지 전환

56µJ (on), 122µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/75ns

테스트 조건

400V, 6A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

74ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

RJH60M1DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 8A

전력-최대

30W

에너지 전환

80µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

20.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/55ns

테스트 조건

300V, 8A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

75ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FL

AIKW40N65DH5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

74A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

250W

에너지 전환

350µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/165ns

테스트 조건

400V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3-41

APT25GR120BD15

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

전력-최대

521W

에너지 전환

742µJ (on), 427µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

203nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/122ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGF7H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

28A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 7A

전력-최대

24W

에너지 전환

99µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/160ns

테스트 조건

400V, 7A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

136ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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WSL1206R0100FEA

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SSQ 2

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BLM18PG121SN1D

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BTS436L2G

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1N4148-P-TR

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