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SL43HE3/57T

SL43HE3/57T

참조 용

부품 번호 SL43HE3/57T
PNEDA 부품 번호 SL43HE3-57T
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,860
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SL43HE3/57T 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SL43HE3/57T
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SL43HE3/57T, SL43HE3/57T 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 77.45 KB)
PDFSL44HE3_B/I 데이터 시트 표지
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  • SL43HE3/57T Distributor

SL43HE3/57T 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If420mV @ 4A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 125°C

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAQ135-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

125V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1nA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

3pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

140ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

12.5pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

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