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SMUN5232DW1T1G

SMUN5232DW1T1G

참조 용

부품 번호 SMUN5232DW1T1G
PNEDA 부품 번호 SMUN5232DW1T1G
설명 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SMUN5232DW1T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SMUN5232DW1T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스
데이터 시트
SMUN5232DW1T1G, SMUN5232DW1T1G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 151.67 KB)
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SMUN5232DW1T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)4.7kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)4.7kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce15 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환-
전력-최대187mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

저항-베이스 (R1)

-

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

-

전력-최대

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NUS2401SNT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

175Ohms, 10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

175Ohms, 10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

350mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SC-74

RN1604(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SM6

DCX124EUQ-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

22kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

PEMH9,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-666

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