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SQ1563AEH-T1_GE3

SQ1563AEH-T1_GE3

참조 용

부품 번호 SQ1563AEH-T1_GE3
PNEDA 부품 번호 SQ1563AEH-T1_GE3
설명 MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SQ1563AEH-T1_GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQ1563AEH-T1_GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SQ1563AEH-T1_GE3, SQ1563AEH-T1_GE3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 294.28 KB)
PDFSQ1563AEH-T1_GE3 데이터 시트 표지
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  • SQ1563AEH-T1_GE3 Distributor

SQ1563AEH-T1_GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)850mA (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs280mOhm @ 850mA, 4.5V, 575mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds89pF @ 10V, 84pF @ 10V
전력-최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SC-70-6 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SC-70-6 Dual

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 6V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.03A, 700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

37.1pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

AO4616

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NTTFS5C658NLTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 35A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

830pF @ 15V

전력-최대

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작동 온도

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