SQJQ910EL-T1_GE3
참조 용
| 부품 번호 | SQJQ910EL-T1_GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SQJQ910EL-T1_GE3 |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,798 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SQJQ910EL-T1_GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SQJQ910EL-T1_GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SQJQ910EL-T1_GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2832pF @ 50V |
| 전력-최대 | 187W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 700pF @ 20V 전력-최대 17.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchPLUS FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 65V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 32.8mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1180pF @ 25V 전력-최대 3.57W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 20-SO |
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제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 860mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.56nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 200pF @ 16V 전력-최대 1.65W 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 TLM832DS |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 49mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 590pF @ 10V 전력-최대 330mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 VS-8 (2.9x1.5) |
