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BUK9MNN-65PKK,518

BUK9MNN-65PKK,518

참조 용

부품 번호 BUK9MNN-65PKK,518
PNEDA 부품 번호 BUK9MNN-65PKK-518
설명 9605 AUTO TRENCH PLUS
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 7,596
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK9MNN-65PKK 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK9MNN-65PKK,518
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • BUK9MNN-65PKK,518 Distributor

BUK9MNN-65PKK 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchPLUS
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)65V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.1A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs32.8mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1180pF @ 25V
전력-최대3.57W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지20-SO

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 10V

전력-최대

4.8W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP

공급자 장치 패키지

15-SIP

FDS8962C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

575pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SH8K25GZ0TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 10V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

PHN203,518

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

BSD235NH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

950mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 1.6µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.32nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

63pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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