BUK9MNN-65PKK,518
참조 용
| 부품 번호 | BUK9MNN-65PKK,518 |
| PNEDA 부품 번호 | BUK9MNN-65PKK-518 |
| 설명 | 9605 AUTO TRENCH PLUS |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,596 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK9MNN-65PKK 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK9MNN-65PKK,518 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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BUK9MNN-65PKK 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchPLUS |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 65V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.1A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 32.8mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1180pF @ 25V |
| 전력-최대 | 3.57W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 20-SO |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 400pF @ 15V 전력-최대 960mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 560pF @ 20V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 2.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 259nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7000pF @ 25V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.3nC, 6.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 180pF, 305pF @ 15V 전력-최대 2W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerUDFN 공급자 장치 패키지 HUML2020L8 |
