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SLA5065 LF830

SLA5065 LF830

참조 용

부품 번호 SLA5065 LF830
PNEDA 부품 번호 SLA5065-LF830
설명 MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
재고 있음 4,482
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SLA5065 LF830 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SLA5065 LF830
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SLA5065 LF830, SLA5065 LF830 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 787.1 KB)
PDFSLA5065 LF830 데이터 시트 표지
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SLA5065 LF830 사양

제조업체Sanken
시리즈-
FET 유형4 N-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds660pF @ 10V
전력-최대4.8W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스15-SIP
공급자 장치 패키지15-SIP

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

472pF @ 15V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SH8K15TB1

Rohm Semiconductor

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

BSO215C

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

246pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDG6317NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

66.5pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

325mOhm @ 800mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

82pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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