TSM500P02DCQ RFG
참조 용
| 부품 번호 | TSM500P02DCQ RFG |
| PNEDA 부품 번호 | TSM500P02DCQ-RFG |
| 설명 | MOSFET 2 P-CH 20V 4.7A 6TDFN |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,554 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TSM500P02DCQ RFG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TSM500P02DCQ RFG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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TSM500P02DCQ RFG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.7A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 800mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1230pF @ 10V |
| 전력-최대 | 620mW |
| 작동 온도 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-VDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TDFN (2x2) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 562pF @ 8V 전력-최대 1.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 588pF @ 16V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 43nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2600pF @ 10V 전력-최대 54W 작동 온도 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 20-HSOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1560pF @ 25V 전력-최대 3.1W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate, 2.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 4-XFBGA 공급자 장치 패키지 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62) |
