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UPA2373T1P-E4-A

UPA2373T1P-E4-A

참조 용

부품 번호 UPA2373T1P-E4-A
PNEDA 부품 번호 UPA2373T1P-E4-A
설명 MOSFET 2N-CH 24V
제조업체 Renesas Electronics America
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UPA2373T1P-E4-A 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA2373T1P-E4-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
UPA2373T1P-E4-A, UPA2373T1P-E4-A 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 216.87 KB)
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UPA2373T1P-E4-A 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대1.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-XFBGA
공급자 장치 패키지4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V, 52nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

820pF @ 15V, 2555pF @ 15V

전력-최대

3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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FDC6310P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

337pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-SOIC

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vgs (th) (최대) @ Id

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