SQUN702E-T1_GE3
참조 용
| 부품 번호 | SQUN702E-T1_GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SQUN702E-T1_GE3 |
| 설명 | MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,454 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SQUN702E-T1_GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SQUN702E-T1_GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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- SQUN702E-T1_GE3 Distributor
SQUN702E-T1_GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET 유형 | N and P-Channel, Common Drain |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V, 200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc), 20A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V |
| 전력-최대 | 48W (Tc), 60W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount, Wettable Flank |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Die |
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