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SSM6L11TU(TE85L,F)

SSM6L11TU(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 SSM6L11TU(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 SSM6L11TU-TE85L-F
설명 MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,158
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM6L11TU(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6L11TU(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • SSM6L11TU(TE85L,F) Distributor

SSM6L11TU(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs145mOhm @ 250MA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds268pF @ 10V
전력-최대500mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지UF6

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시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 10V

전력-최대

400mW

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

NVMFD5C672NLT1G

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 49A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

793pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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-

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

562pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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