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SSM6N62TU,LF

SSM6N62TU,LF

참조 용

부품 번호 SSM6N62TU,LF
PNEDA 부품 번호 SSM6N62TU-LF
설명 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 45,852
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM6N62TU 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6N62TU,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SSM6N62TU 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.2V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)800mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs85mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds177pF @ 10V
전력-최대500mW (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지UF6

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A, 2.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

38mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-8

SQS966ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

572pF @ 25V

전력-최대

27.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8W Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8W Dual

APTM20TAM16FPG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

104A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7220pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

APTC60DDAM45CT1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

CSD87501LT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-XFLGA

공급자 장치 패키지

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