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SSM6N68NU,LF

SSM6N68NU,LF

참조 용

부품 번호 SSM6N68NU,LF
PNEDA 부품 번호 SSM6N68NU-LF
설명 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM6N68NU 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6N68NU,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SSM6N68NU 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs84mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds129pF @ 15V
전력-최대2W (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-UDFN (2x2)

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSMT6 (SC-95)

BSO150N03

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1890pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

DMPH6050SPDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1525pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

IRF5851

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A, 2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 15V

전력-최대

960mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

APTMC170AM30CT1AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N Channel (Phase Leg)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V (1.7kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 5mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

380nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6160pF @ 1000V

전력-최대

700W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

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