SSM6N7002BFE,LM
참조 용
| 부품 번호 | SSM6N7002BFE,LM |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6N7002BFE-LM |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,312 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6N7002BFE 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6N7002BFE,LM |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SSM6N7002BFE 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 17pF @ 25V |
| 전력-최대 | 150mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | ES6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA, 880mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 33pF @ 5V 전력-최대 270mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 155mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 450pF @ 10V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-MicroFET (2x2) |
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