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SSM6N7002BFU(T5L,F

SSM6N7002BFU(T5L,F

참조 용

부품 번호 SSM6N7002BFU(T5L,F
PNEDA 부품 번호 SSM6N7002BFU-T5L-F
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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SSM6N7002BFU(T5L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6N7002BFU(T5L,F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SSM6N7002BFU(T5L, SSM6N7002BFU(T5L 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 201.83 KB)
PDFSSM6N7002BFU 데이터 시트 표지
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SSM6N7002BFU(T5L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds17pF @ 25V
전력-최대300mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6200pF @ 15V

전력-최대

2.6W

작동 온도

150°C (TJ)

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 15V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.3nC, 6.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF, 305pF @ 15V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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