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HCT802TXV

HCT802TXV

참조 용

부품 번호 HCT802TXV
PNEDA 부품 번호 HCT802TXV
설명 MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
제조업체 TT Electronics/Optek Technology
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HCT802TXV 리소스

브랜드 TT Electronics/Optek Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HCT802TXV
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
HCT802TXV, HCT802TXV 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 244.26 KB)
PDFHCT802TX 데이터 시트 표지
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HCT802TXV 사양

제조업체TT Electronics/Optek Technology
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)90V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A, 1.1A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds70pF @ 25V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지6-SMD

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1570pF @ 13V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

389pF @ 10V

전력-최대

730mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

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Microsemi

제조업체

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시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

337A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 180A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 9mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1224nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23000pF @ 1000V

전력-최대

2140W

작동 온도

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장착 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력-최대

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