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SST4416-T1-E3

SST4416-T1-E3

참조 용

부품 번호 SST4416-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SST4416-T1-E3
설명 JFET N-CH 36V 5MA SOT-23
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 4,896
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SST4416-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST4416-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
SST4416-T1-E3, SST4416-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 81.15 KB)
PDFSST4416-T1-E3 데이터 시트 표지
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  • SST4416-T1-E3 Distributor

SST4416-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id3V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2.2pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대350mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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300mW

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N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

180mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

200 Ohms

전력-최대

100mW

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

200mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

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전력-최대

300mW

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