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STGB20NB32LZ

STGB20NB32LZ

참조 용

부품 번호 STGB20NB32LZ
PNEDA 부품 번호 STGB20NB32LZ
설명 IGBT 375V 40A 150W I2PAK
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,618
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGB20NB32LZ 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGB20NB32LZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGB20NB32LZ, STGB20NB32LZ 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 505.05 KB)
PDFSTGB20NB32LZ 데이터 시트 표지
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STGB20NB32LZ 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)375V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 4.5V, 20A
전력-최대150W
에너지 전환11.8mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지51nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C2.3µs/11.5µs
테스트 조건250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

230µJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/200ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

SGM2N60UFTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.4A

전류-수집기 펄스 (Icm)

10A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

전력-최대

2.1W

에너지 전환

30µJ (on), 13µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

9nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/80ns

테스트 조건

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223-4

FGAF20N60SMD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

전력-최대

75W

에너지 전환

452µJ (on), 141µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/91ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

26.7ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

STGW60H65DRF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

전력-최대

420W

에너지 전환

940µJ (on), 1.06mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

217nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

85ns/178ns

테스트 조건

400V, 60A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

19ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.16mJ (on), 470µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/93ns

테스트 조건

600V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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