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SGM2N60UFTF

SGM2N60UFTF

참조 용

부품 번호 SGM2N60UFTF
PNEDA 부품 번호 SGM2N60UFTF
설명 IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGM2N60UFTF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGM2N60UFTF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGM2N60UFTF, SGM2N60UFTF 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 537.67 KB)
PDFSGM2N60UFTF 데이터 시트 표지
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SGM2N60UFTF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)2.4A
전류-수집기 펄스 (Icm)10A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 1.2A
전력-최대2.1W
에너지 전환30µJ (on), 13µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지9nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/80ns
테스트 조건300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지SOT-223-4

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

179W

에너지 전환

440µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/225ns

테스트 조건

400V, 20A, 16Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

IRG7PH50K10DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 35A

전력-최대

400W

에너지 전환

2.3mJ (on), 1.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

300nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

90ns/340ns

테스트 조건

600V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGWT30H60DFB

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

260W

에너지 전환

383µJ (on), 293µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

149nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/146ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

53ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

DGTD65T40S2PT

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

230W

에너지 전환

500µJ (on), 400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

60nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/55ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

APT75GP120B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

전력-최대

1042W

에너지 전환

1620µJ (on), 2500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

320nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/163ns

테스트 조건

600V, 75A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

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