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STGB40H65FB

STGB40H65FB

참조 용

부품 번호 STGB40H65FB
PNEDA 부품 번호 STGB40H65FB
설명 IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STGB40H65FB 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGB40H65FB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGB40H65FB, STGB40H65FB 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 619.84 KB)
PDFSTGB40H65FB 데이터 시트 표지
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STGB40H65FB 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈HB
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
전력-최대283W
에너지 전환498µJ (on), 363µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/142ns
테스트 조건400V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

ON Semiconductor

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IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

전력-최대

298W

에너지 전환

2.47mJ (on), 810µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

192nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/138ns

테스트 조건

400V, 60A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

76ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGD10NC60HT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

31.8µJ (on), 95µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14.2ns/72ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

38A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

165W

에너지 전환

1.65mJ (on), 1.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

47nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 15A, 56Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT30GS60BRDQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

113A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

570µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/360ns

테스트 조건

400V, 30A, 9.1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

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게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/170ns

테스트 조건

600V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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