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STGP19NC60SD

STGP19NC60SD

참조 용

부품 번호 STGP19NC60SD
PNEDA 부품 번호 STGP19NC60SD
설명 IGBT 600V 40A 130W TO220
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 14,220
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGP19NC60SD 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGP19NC60SD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGP19NC60SD, STGP19NC60SD 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 529.73 KB)
PDFSTGP19NC60SD 데이터 시트 표지
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STGP19NC60SD 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 12A
전력-최대130W
에너지 전환135µJ (on), 815µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지54.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17.5ns/175ns
테스트 조건480V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)31ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

107A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 50A

전력-최대

366W

에너지 전환

1185µJ (on), 1565µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

325nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/230ns

테스트 조건

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

STGF6M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

전력-최대

24.2W

에너지 전환

36µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

21.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/90ns

테스트 조건

400V, 6A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

HGT1S20N60C3S9A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 20A

전력-최대

164W

에너지 전환

295µJ (on), 500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

91nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/151ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

IRGIB4610DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

122µJ (on), 56µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

FGA30N120FTDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

339W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

208nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

730ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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