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STGW15H120DF2

STGW15H120DF2

참조 용

부품 번호 STGW15H120DF2
PNEDA 부품 번호 STGW15H120DF2
설명 IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
제조업체 STMicroelectronics
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STGW15H120DF2 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW15H120DF2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW15H120DF2, STGW15H120DF2 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 825.57 KB)
PDFSTGWA15H120DF2 데이터 시트 표지
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STGW15H120DF2 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 15A
전력-최대259W
에너지 전환380µJ (on), 370µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지67nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C23ns/111ns
테스트 조건600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)231ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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STMicroelectronics

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

전력-최대

75W

에너지 전환

236µJ (on), 290µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/118ns

테스트 조건

800V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

51ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

IKW20N60TAFKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

전력-최대

166W

에너지 전환

770µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/199ns

테스트 조건

400V, 20A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

FGP20N6S2D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

25µJ (on), 58µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

7.7ns/87ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

RGT16NL65DGTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

전력-최대

94W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/33ns

테스트 조건

400V, 8A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

LPDS

RGS80TSX2HRC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

555W

에너지 전환

3mJ (on), 3.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

49ns/199ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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