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STGWA19NC60HD

STGWA19NC60HD

참조 용

부품 번호 STGWA19NC60HD
PNEDA 부품 번호 STGWA19NC60HD
설명 IGBT 600V 52A 208W TO247
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,960
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGWA19NC60HD 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWA19NC60HD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWA19NC60HD, STGWA19NC60HD 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 517.13 KB)
PDFSTGWA19NC60HD 데이터 시트 표지
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  • STGWA19NC60HD Distributor

STGWA19NC60HD 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)52A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
전력-최대208W
에너지 전환85µJ (on), 189µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지53nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/97ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)31ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Microsemi

제조업체

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시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

525µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/225ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRGP4069PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

76A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 35A

전력-최대

268W

에너지 전환

390µJ (on), 632µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/105ns

테스트 조건

400V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

HGTG11N120CND

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

43A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 11A

전력-최대

298W

에너지 전환

950µJ (on), 1.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/180ns

테스트 조건

960V, 11A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGFW20V60F

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

52W

에너지 전환

200µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/149ns

테스트 조건

400V, 20A, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

AIHD06N60RFATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 6A

전력-최대

100W

에너지 전환

90µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/105ns

테스트 조건

400V, 6A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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AS5304B-ATST

AS5304B-ATST

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74HCT32D

74HCT32D

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IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOIC

7M24000020

7M24000020

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CRYSTAL 24MHZ 18PF SMD