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STSJ60NH3LL

STSJ60NH3LL

참조 용

부품 번호 STSJ60NH3LL
PNEDA 부품 번호 STSJ60NH3LL
설명 MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
제조업체 STMicroelectronics
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재고 있음 22,890
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STSJ60NH3LL 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STSJ60NH3LL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STSJ60NH3LL, STSJ60NH3LL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 357.35 KB)
PDFSTSJ60NH3LL 데이터 시트 표지
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STSJ60NH3LL 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 4.5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1810pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOIC-EP
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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Vishay Siliconix

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TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI7409ADN-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

RSF015N06TL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 5V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TUMT3

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

DMT3004LFG-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.4A (Ta), 25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2370pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 84A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1810pF @ 13V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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