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TB100EP

TB100EP

참조 용

부품 번호 TB100EP
PNEDA 부품 번호 TB100EP
설명 TB100/TO-92/STANDARD MARKING *
제조업체 WeEn Semiconductors
단가 견적 요청
재고 있음 7,272
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 19 - 2월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TB100EP 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TB100EP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
TB100EP, TB100EP 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 248.8 KB)
PDFTB100ML 데이터 시트 표지
TB100ML 데이터 시트 페이지 2 TB100ML 데이터 시트 페이지 3 TB100ML 데이터 시트 페이지 4 TB100ML 데이터 시트 페이지 5 TB100ML 데이터 시트 페이지 6 TB100ML 데이터 시트 페이지 7 TB100ML 데이터 시트 페이지 8 TB100ML 데이터 시트 페이지 9 TB100ML 데이터 시트 페이지 10

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TB100EP 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 150mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce14 @ 100mA, 5V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 3A, 2V

전력-최대

3W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TOP-3F

공급자 장치 패키지

TOP-3F-A1

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BU406G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

60W

주파수-전환

10MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

2SC4617

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 60mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

125mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SC-75, SOT-416

2SA2088U3T106

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 2V

전력-최대

200mW

주파수-전환

400MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

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