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TC4425MJA

TC4425MJA

참조 용

부품 번호 TC4425MJA
PNEDA 부품 번호 TC4425MJA
설명 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-CDIP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 6,840
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TC4425MJA 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC4425MJA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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TC4425MJA 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3A, 3A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)23ns, 25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-CDIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-CERDIP

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구동 구성

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1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 3.65V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-DIP

SI9976DY-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

40V

상승 / 하강 시간 (일반)

110ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

EL7155CSZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

4.5V ~ 16.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3.5A, 3.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14.5ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MCP14A1202T-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

12A, 12A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NCD5702DR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.75V, 4.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

7.8A, 6.8A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9.2ns, 7.9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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