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TF262TH-4-TL-H

TF262TH-4-TL-H

참조 용

부품 번호 TF262TH-4-TL-H
PNEDA 부품 번호 TF262TH-4-TL-H
설명 JFET N-CH 1MA 100MW
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.6222
500 ---------- $0.5930
1,000 ---------- $0.5639
2,500 ---------- $0.5347
5,000 ---------- $0.5104
10,000 ---------- $0.4861
재고 있음 18,857
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TF262TH-4-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TF262TH-4-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
TF262TH-4-TL-H, TF262TH-4-TL-H 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 977.16 KB)
PDFTF262TH-5-TL-H 데이터 시트 표지
TF262TH-5-TL-H 데이터 시트 페이지 2 TF262TH-5-TL-H 데이터 시트 페이지 3 TF262TH-5-TL-H 데이터 시트 페이지 4 TF262TH-5-TL-H 데이터 시트 페이지 5 TF262TH-5-TL-H 데이터 시트 페이지 6

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TF262TH-4-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id200mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3.5pF @ 2V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지VTFP

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N-Channel

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25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

2SK01980RL

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

20mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

100mV @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

Mini3-G1

PN5434

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 3nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

10 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MX2N4856

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/385

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

175mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

25 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

200mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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