TF262TH-4-TL-H
참조 용
| 부품 번호 | TF262TH-4-TL-H | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | TF262TH-4-TL-H | ||||||||||||||||||
| 설명 | JFET N-CH 1MA 100MW | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 18,857 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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TF262TH-4-TL-H 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TF262TH-4-TL-H |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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TF262TH-4-TL-H 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 140µA @ 2V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | 1mA |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 200mV @ 1µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3.5pF @ 2V |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 100mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | VTFP |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 - 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) - 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
