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2SK01980RL

2SK01980RL

참조 용

부품 번호 2SK01980RL
PNEDA 부품 번호 2SK01980RL
설명 JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가
1 ---------- $5.8794
250 ---------- $5.6038
500 ---------- $5.3282
1,000 ---------- $5.0526
2,500 ---------- $4.8230
5,000 ---------- $4.5933
재고 있음 5,193
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2SK01980RL 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK01980RL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SK01980RL, 2SK01980RL 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 208.72 KB)
PDF2SK01980RL 데이터 시트 표지
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  • Panasonic Electronic Components Distributor
  • 2SK01980RL Price
  • 2SK01980RL Distributor

2SK01980RL 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)500µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대20mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id100mV @ 10µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대150mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지Mini3-G1

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

210µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4.1pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-72

공급자 장치 패키지

3-SPA

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

CP206-2N4393-CT

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

BFR31LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2.5V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

2N5114JTXV02

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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