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TFZGTR9.1B

TFZGTR9.1B

참조 용

부품 번호 TFZGTR9.1B
PNEDA 부품 번호 TFZGTR9-1B
설명 DIODE ZENER 9.1V 500MW TUMD2
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 21,816
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 8 - 11월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TFZGTR9.1B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TFZGTR9.1B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
TFZGTR9.1B, TFZGTR9.1B 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 53.52 KB)
PDFTFZGTR7.5B 데이터 시트 표지
TFZGTR7.5B 데이터 시트 페이지 2

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  • TFZGTR9.1B Distributor

TFZGTR9.1B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차-
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)8 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지TUMD2

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공차

±10%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

CDLL4917

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Diodes Incorporated

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

29 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 17V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

SMBG5345C/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.7V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 6.25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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