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THGBMJG9C8LBAU8

THGBMJG9C8LBAU8

참조 용

부품 번호 THGBMJG9C8LBAU8
PNEDA 부품 번호 THGBMJG9C8LBAU8
설명 512GBIT V5.1 I TEMP EMMC
제조업체 Toshiba Memory America, Inc.
단가
1 ---------- $644.2259
50 ---------- $614.0278
100 ---------- $583.8297
200 ---------- $553.6317
400 ---------- $528.4666
500 ---------- $503.3015
재고 있음 274
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

THGBMJG9C8LBAU8 리소스

브랜드 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호THGBMJG9C8LBAU8
분류반도체메모리 IC기억

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  • THGBMJG9C8LBAU8 Distributor

THGBMJG9C8LBAU8 사양

제조업체Toshiba Memory America, Inc.
시리즈e•MMC™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스eMMC
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스153-WFBGA
공급자 장치 패키지153-FBGA (11.5x13)

관심을 가질만한 제품

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

MT29F128G08CFAAAWP:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

7ns

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-VFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (8x13)

MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4

메모리 크기

4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

149-WFBGA

공급자 장치 패키지

149-WFBGA (8x9.5)

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