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TIP122

TIP122

참조 용

부품 번호 TIP122
PNEDA 부품 번호 TIP122_6B
설명 TRANS NPN DARL 100V 5A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,066
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TIP122 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TIP122
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
TIP122, TIP122 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 288.81 KB)
PDFTIP127 데이터 시트 표지
TIP127 데이터 시트 페이지 2 TIP127 데이터 시트 페이지 3 TIP127 데이터 시트 페이지 4 TIP127 데이터 시트 페이지 5 TIP127 데이터 시트 페이지 6 TIP127 데이터 시트 페이지 7 TIP127 데이터 시트 페이지 8

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TIP122 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 3A, 3V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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Toshiba Semiconductor and Storage

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

375V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 62.5mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 300mA, 5V

전력-최대

1.1W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

PW-MOLD2

TTC1949-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BC857BLP4-7B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-XFDFN

공급자 장치 패키지

X2-DFN1006-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN + Zener

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

550mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

BC33716TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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