TPN14006NH,L1Q
참조 용
| 부품 번호 | TPN14006NH,L1Q |
| PNEDA 부품 번호 | TPN14006NH-L1Q |
| 설명 | MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,046 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 4 - 3월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TPN14006NH 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TPN14006NH,L1Q |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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TPN14006NH 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSVIII-H |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 200µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1300pF @ 30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 254mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.65nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 81pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 342mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-70 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2730pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 88W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262-3 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 SuperMESH5™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.5nC @ 10V Vgs (최대) 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 255pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 85W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I2PAK (TO-262) 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
