UCC27322PG4
참조 용
| 부품 번호 | UCC27322PG4 |
| PNEDA 부품 번호 | UCC27322PG4 |
| 설명 | IC MOSFET DRIVER SGL HS 9A 8DIP |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,826 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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UCC27322PG4 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | UCC27322PG4 |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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UCC27322PG4 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4V ~ 15V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 1.1V, 2.7V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 9A, 9A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 20ns, 20ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-PDIP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 시리즈 Automotive, AEC-Q100 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.2A, 5A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 100V 상승 / 하강 시간 (일반) 7ns, 3.5ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-WSON (4x4) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 2A, 2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 22V 상승 / 하강 시간 (일반) 8ns, 8ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-QFN (3x3) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 6.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.25A, 2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 36V 상승 / 하강 시간 (일반) 26ns, 18ns 작동 온도 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-DFN (3x3) |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 12.6V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4.5A, 7.6A 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 3ns, 2ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-WSON (3x3) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 3-Phase 드라이버 수 6 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 200mA, 350mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 125ns, 50ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 28-SOIC |
