UMZ1NFHATR
참조 용
| 부품 번호 | UMZ1NFHATR |
| PNEDA 부품 번호 | UMZ1NFHATR |
| 설명 | UMZ1N SERIES 50 V 150 MA SMT NPN |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,598 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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UMZ1NFHATR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | UMZ1NFHATR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 |
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UMZ1NFHATR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | * |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V 전력-최대 300mW 주파수-전환 100MHz, 190MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대) 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V 전력-최대 1.5W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 TO-116 |
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 340mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V 전력-최대 510mW 주파수-전환 125MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-HUSON-EP (2x2) |
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