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UPA1981TE-T1-A

UPA1981TE-T1-A

참조 용

부품 번호 UPA1981TE-T1-A
PNEDA 부품 번호 UPA1981TE-T1-A
설명 MOSFET
제조업체 Renesas Electronics America
단가
1 ---------- $2.8897
250 ---------- $2.7543
500 ---------- $2.6188
1,000 ---------- $2.4834
2,500 ---------- $2.3705
5,000 ---------- $2.2576
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UPA1981TE-T1-A 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA1981TE-T1-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
UPA1981TE-T1-A, UPA1981TE-T1-A 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 222.91 KB)
PDFUPA1981TE-T1-A 데이터 시트 표지
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  • UPA1981TE-T1-A Distributor

UPA1981TE-T1-A 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

423A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 300A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 15mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1025nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11700pF @ 600V

전력-최대

1660W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

EMT6

BSS84AKV,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.35nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

36pF @ 25V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-666

DMG1016V-7

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

870mA, 640mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.74nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60.67pF @ 16V

전력-최대

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작동 온도

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패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

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