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CAS300M12BM2

CAS300M12BM2

참조 용

부품 번호 CAS300M12BM2
PNEDA 부품 번호 CAS300M12BM2
설명 MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가 견적 요청
재고 있음 4,824
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CAS300M12BM2 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CAS300M12BM2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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CAS300M12BM2 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈Z-FET™
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)423A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 300A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id2.3V @ 15mA (Typ)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1025nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds11700pF @ 600V
전력-최대1660W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module, Screw Terminals
공급자 장치 패키지Module

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.7A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

393pF @ 15V

전력-최대

700mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A, 26A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

827pF @ 15V

전력-최대

800mW, 900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA, 430mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 14µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

410pF @ 25V

전력-최대

43W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

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