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UPA2324T1P-E1-A

UPA2324T1P-E1-A

참조 용

부품 번호 UPA2324T1P-E1-A
PNEDA 부품 번호 UPA2324T1P-E1-A
설명 MOSFET N-CH DUAL LGA
제조업체 Renesas Electronics America
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UPA2324T1P-E1-A 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA2324T1P-E1-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • UPA2324T1P-E1-A Distributor

UPA2324T1P-E1-A 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

490mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

570mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A, 3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

282pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SOIC

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Diodes Incorporated

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

115mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 115mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23pF @ 25V

전력-최대

250mW (Ta)

작동 온도

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Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

83mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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