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UPA2350T1P-E4-A

UPA2350T1P-E4-A

참조 용

부품 번호 UPA2350T1P-E4-A
PNEDA 부품 번호 UPA2350T1P-E4-A
설명 MOSFET N-CH DUAL LGA
제조업체 Renesas Electronics America
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

UPA2350T1P-E4-A 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA2350T1P-E4-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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UPA2350T1P-E4-A 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.6nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds542pF @ 10V
전력-최대1.3W (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-XFLGA
공급자 장치 패키지4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 30V

전력-최대

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작동 온도

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장착 유형

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

FDS9958

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 30V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A, 17A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2720pF @ 25V

전력-최대

125W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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