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UPA672CT-T1-AT

UPA672CT-T1-AT

참조 용

부품 번호 UPA672CT-T1-AT
PNEDA 부품 번호 UPA672CT-T1-AT
설명 MOSFET N-CH SC-88
제조업체 Renesas Electronics America
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UPA672CT-T1-AT 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA672CT-T1-AT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
UPA672CT-T1-AT, UPA672CT-T1-AT 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 157.89 KB)
PDFUPA672CT-T1-AT 데이터 시트 표지
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  • UPA672CT-T1-AT Distributor

UPA672CT-T1-AT 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.7Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds20pF @ 10V
전력-최대200mW (Ta)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs (th) (최대) @ Id

820mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

CoolMOS™

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

540nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 100V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FDMQ86530L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

GreenBridge™ PowerTrench®

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2295pF @ 30V

전력-최대

1.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-MLP (5x4.5)

TPC8208(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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PMGD175XNEAX

Nexperia

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

900mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

252mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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전력-최대

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작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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